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  • 半导体照明用光刻胶

     

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    1.特别说明:

    具体型号说明书及相关检测报告请前往下载中心下载。

    2.应用领域:

    半导体照明领域的具体应用包括:图案化蓝宝石衬底(PSS)制作;LED芯片制作等。

    3. 技术参数:

    半导体照明用光刻胶主要技术参数:

    半导体照明用光刻胶系列主要包括:RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列,不同系列光刻胶的主要技术参数如下:

    序号

    产品序列

    主要参数

    1

    RD-2000系列


    水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<300;膜厚:1.0~3.5um;分辨率:0.8um(g-line)


    2

    RD-4000系列


    水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<50;膜厚:1.0~4.5um;分辨率:0.4um(i-line曝光)


    3

    RD-6000系列


    水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<100;膜厚:3.0~15um;分辨率:0.65um(i-line曝光)


    4

    RD-NL700系列


    水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<500;膜厚:1.8~4.5um;倒梯形角度:45~80°;分辨率:1um(g+h+i曝光)


    半导体照明用光刻胶主要技术参数:

    半导体照明用光刻胶系列主要包括:RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列,不同系列光刻胶的主要技术参数如下:


    序号

    产品序列

    主要参数

    1

    RD-2000系列


    水分:<0.5%
    颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
    痕量金属(KNaFeppb):<300
    膜厚:1.0~3.5um
    分辨率:0.8um(g-line)


    2

    RD-4000系列


    水分:<0.5%
    颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
    痕量金属(KNaFeppb):<50
    膜厚:1.0~4.5um
    分辨率:0.4um(i-line曝光)


    3

    RD-6000系列


    水分:<0.5%
    颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
    痕量金属(KNaFeppb):<100
    膜厚:3.0~15um
    分辨率:0.65um(i-line曝光)


    4

    RD-NL700系列

    水分:<0.5%

    颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100

    痕量金属(KNaFeppb):<500

    膜厚:1.8~4.5um

    倒梯形角度:45~80°

    分辨率:1um(g+h+i曝光)